赤外用非線形光学結晶 AgGaS2, GaSe, ZnGeP2結晶
製品詳細

概要
独自の機能により、ZnGeP2(ZGP)、AgGaS2(AGS)、GaSeのような赤外用光学非線形結晶は、中赤外線および深赤外線アプリケーションで大きな関心を集めています。
大きな有効な光学非線形性、広いスペクトルと受け入れ角度、広い透過範囲、温度安定化と振動制御に対してあまり重要でない必要条件を持つ他、機械的に処理するのが簡単です(GaSeを除く)。
■ ZnGeP2 (ZGP) 結晶
ZGPクリスタルは、0.74および12 µmに透過帯域エッジを持っています。 ただし、有効な伝送範囲は1.9〜8.6 µmおよび9.6〜10.2 µmです。最大の非線形光学係数と比較的高いレーザーダメージ閾値を持っています。 ZGP結晶は、様々なアプリケーションで使用できます。
•高調波生成および混合プロセスを介したCO2およびCOレーザー放射の近赤外域へのアップコンバージョン
•パルスCO、CO2、化学DFレーザーの効率的なSHG
•OPOプロセスによるホルミウム、ツリウム、エルビウムのレーザー波長から中赤外波長範囲への効率的なダウンコンバージョン
また、OPOアプリケーション向けに、ダメージ閾値の高いBBARコーティングと、吸収係数α<0.05 cm-1(ポンプ波長2.05〜2.1 µm„ o“-偏光)の最低の吸収係数を備えたZGP結晶を提供しています。
典型的な吸収係数は、2.5〜8.2 µmの範囲で<0.03 cm-1です。
■ AgGaS2 結晶
AGS結晶は、0.53〜12 µmで透明です。 550 nmでの高い短波長透過性エッジングは、以下の用途で利用されています。
・Nd:YAGレーザーによって励起されるOPO
・ダイオード、Ti:Sapphire、Nd:YAG、および3〜12 µmの範囲をカバーするIR色素レーザーを使用した多数の異なる周波数混合実験
・直接赤外線対策システム
・CO2レーザーのSHG用
また、薄いAgGaS2(AGS)結晶板は、近赤外波長パルスを使用した差周波数生成による中赤外領域での超短パルス生成に一般的に使用されます。
■ GaSe 結晶
>GaSe結晶のバンドエッジは0.65および18 µmです。 >GaSe結晶は以下の用途で利用されています。
>・C>O2レーザーの効率的なSHG
>・パルスCO、CO2のSHG
・化学DFレーザー(λ= 2.36 µm)放射のSHG
・>可視範囲での>COおよびCO2レーザー放射のアップコンバージョン
>・ネオジムおよび赤外色素レーザーの差周波混合
>・(F-)中心レーザーパルスによる赤外線パルス生成
・3.5〜18 µm以内のOPG光生成
>薄いGaSe結晶板はフェムト秒 THz生成に使用されます。 >材料の構造( (001)面に沿って劈開 )により、特定の位相整合角度で結晶を切断することは不可能です。
仕様
■ZnGeP2 (ZGP) 結晶 : OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm
型名 | Θ | Φ | コーティング | サイズ (mm) | 注釈 | |
---|---|---|---|---|---|---|
ZGP-401 | 54° | 0° | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm | 7 x 5 x 15 | - |
■AgGaS2 (AGS) 結晶 : DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm
型名 | Θ | Φ | コーティング | サイズ (mm) | 注釈 | |
---|---|---|---|---|---|---|
AGS-401H | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | 5 x 5 x 1 | Type 1 | |
AGS-402H | 50° | 0° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | 6 x 6 x 2 | Type 2 | |
AGS-404H | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | 5 x 5 x 0.4 | Type 1 | |
AGS-801H | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | 8 x 8 x 0.4 | Type 1 | |
AGS-802H | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | 8 x 8 x 1 | Type 1 |
■AgGaS2 (AGS) 結晶 :SHG @ 3-6 μm
型名 | Θ | Φ | コーティング | サイズ (mm) | 注釈 | |
---|---|---|---|---|---|---|
AGS-403H | 34° | 45° | BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm | 5 x 5 x 0.4 | Type 1 |
■GaSe結晶
型名 | Θ | Φ | コーティング | サイズ (mm) | 注釈 | |
---|---|---|---|---|---|---|
GaSe-10H1 | Z cut | - | uncoated | ø7 x 0.01 | - | |
GaSe-30H1 | Z cut | - | uncoated | ø7 x 0.03 | - | |
GaSe-100H1 | Z cut | - | uncoated | ø7 x 0.1 | - | |
GaSe-500H1 | Z cut | - | uncoated | ø7 x 0.5 | - | |
GaSe-1000H1 | Z cut | - | uncoated | ø7 x 1 | - | |
GaSe-2000H1 | Z cut | - | uncoated | ø7 x 2 | - |
■標準仕様:
標準仕様 | |
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平坦度 | λ/8 @ 633 nm |
平行度 | < 20 arcsec |
垂直度 | < 5 arcmin |
角度公差 | < 30 arcmin |
開口部公差 | ± 0.1 mm |
表面精度 | 10/5 (scratch/dig), MIL-O-13830A |
有効口径 | 90% of full aperture |
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