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製品情報

直線偏光レーザー用電動可変アッテネーター 990-0071Mシリーズ

製品詳細

分野

  • OEM/組込み
  • 装置開発
  • その他

メーカー

EKSMA Optics(リトアニア)

正規代理店

概要

直径 10 mm の開口部を備え、出射する s 偏光ビームと p 偏光ビームの強度比を連続的に変化させることができる電動可変アッテネーターです。薄膜偏光子、高性能波長板、精密光学機構で構成されています。

この電動可変アッテネーターは、特別設計の56°偏光子用オプトメカニカルアダプターまたは精密オプトメカニカルホルダーを組み込んでいます。56°でs偏光を反射し、p偏光を透過する薄膜ブリュースター型偏光子は、56°偏光子用アダプターに収納されており、石英λ/2波長板は電動回転ステージに収納されています。波長板を回転させることにより、他のビームパラメータを変更することなく、これら2つのビームの強度比を連続的に変えることができます。


特長

・広いダイナミックレンジ
・対応波長 257 ~ 1050 nm
開口部 Φ10 mm
・広いダイナミックレンジ
・電動制御


仕様

型番動作波長レーザーダメージ閾値構成
For Nd:YAG Laser Application
990-0071-355M355 nm5 J/cm², 10 ns pulses, 10 Hz, 1064 nmコントローラーなし
990-0071-355M+CP355 nm5 J/cm², 10 ns pulses, 10 Hz, 1064 nmコントローラー付属
990-0071-532M532 nm5 J/cm², 10 ns pulses, 10 Hz, 1064 nmコントローラーなし
990-0071-532M+CP532 nm5 J/cm², 10 ns pulses, 10 Hz, 1064 nmコントローラー付属
990-0071-1064M1064 nm5 J/cm², 10 ns pulses, 10 Hz, 1064 nmコントローラーなし
990-0071-1064M+CP1064 nm5 J/cm², 10 ns pulses, 10 Hz, 1064 nmコントローラー付属
For Femtosecond Applications
990-0071-257M257 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-257M+CP257 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-266M266 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-266M+CP266 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-343M343 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-343M+CP343 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-400M400 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-400M+CP400 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-400BM390-410 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-400BM+CP390-410 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-515M515 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-515M+CP515 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-515BM505-525 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-515BM+CP505-525 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-800M800 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-800M+CP800 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-800BM780-820 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-800BM+CP780-820 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-1030M1030 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-1030M+CP1030 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-1030BM1010-1050 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-1030BM+CP1010-1050 nm> 10 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
For High Power Femtosecond Applications
990-0071-257HM257 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-257HM+CP257 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-266HM266 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-266HM+CP266 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-343HM343 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-343HM+CP343 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-400HM400 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-400HM+CP400 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-400HBM390-410 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-400HBM+CP390-410 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-515HM515 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-515HM+CP515 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-515HBM505-525 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-515HBM+CP505-525 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-800HM800 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-800HM+CP800 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-800HBM780-820> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-800HBM+CP780-820> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-1030HM1030 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-1030HM+CP1030 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属
990-0071-1030HBM1010-1050 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラーなし
990-0071-1030HBM+CP1010-1050 nm> 100 mJ/cm², 50 fs pulse, 800 nmコントローラー付属

仕様
For Nd:YAG Laser Applications
Aperture diameter10 mm
Damage threshold5 J/cm2 pulsed at 1064 nm, typical
Polarization Contrast>1:200
For Femtosecond Applications
Aperture diameter10 mm
Damage threshold for high power laser applications:>10 mJ/cm2, 50 fs pulse at 800 nm, typical
>100 mJ/cm2, 50 fs pulse at 800 nm, typical
Time dispersiont<4 fs for 100 fs Ti:Sapphire laser pulses
Polarization Contrast>1:200

各資料

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