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レーザー用薄膜偏光子

製品詳細


概要

・高いレーザーダメージ閾値 10 J / cm2@1064 nm    ・高い消光比 Tp:Ts:> 1000:1     ・低価格


仕様

■ラインナップ : 

型名材質対応波長寸法偏光効率消光比
420-1242i45HEUV FS343 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1242i45UV FS343 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1512i45HEUV FS343 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1512i45UV FS343 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1252i45HEUV FS355 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1252i45UV FS355 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1502i45HEUV FS355 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1502i45UV FS355 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1244i45HEUV FS515 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1244i45UV FS515 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1514i45HEUV FS515 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1514i45UV FS515 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1254i45HEUV FS532 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1254i45UV FS532 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1504i45HEUV FS532 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1504i45UV FS532 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1248i45HEUV FS1030 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1248i45UV FS1030 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1518i45HEUV FS1030 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1518i45UV FS1030 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1238i45HEUV FS1053 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1238i45UV FS1053 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1538i45HEUV FS1053 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1538i45UV FS1053 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1258i45HEUV FS1064 nmø 25.4 x 3 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1258i45UV FS1064 nmø 25.4 x 3 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1
420-1508i45HEUV FS1064 nmø 50.8 x 6 mmTp>98%, Ts<0.1%> 1000:1
420-1508i45UV FS1064 nmø 50.8 x 6 mmRs/Tp : >99.5/95.0 %> 200:1

■標準仕様:

仕様 
材質UV FS
表面精度20-10 scratch & dig (MIL-PRF-13830B)
表面歪曲度λ/10 @ 633 nm
偏光度< 30 arcsec
開口部> 90%
入射角45°±2°
直径公差+0.0 -0.12 mm
厚み公差±0.2 mm
レーザーダメージ閾値10 J/cm2, 10 ns pulse @ 1064 nm typical, 50 Hz
消光比 Tp/Ts>200:1 (for standard series)
>1000:1 (for HE series)

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