AFM/SPM校正用グレーティング

原子間力顕微鏡(AFM)、走査型プローブ顕微鏡(SPM)の各種校正や評価にお使いいただける校正用グレーティングです。校正の種類や評価に応じて、適切なグレーティングをご選択頂けます。
より安価でご案内できる、複数のグレーティングをまとめたセットもございます。

・豊富なラインアップ　9種
・XYZ軸校正やティップ形状評価など
・低価格
・複数のグレーティングをまとめた安価なセットあり

■校正用グレーティングモデル

Model	TGZ1
Application	・Z軸校正用
Structure	step - SiO2, bottom – Si
Pattern type	2-Dimensional
Period	3 ± 0.05 µm
Height	20,0 ± 1.5 nm*
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm

Model	TGZ2
Application	・Z軸校正用
Structure	step - SiO2, bottom - Si
Pattern type	2-Dimensional
Period	3 ± 0.05 µm
Height	110 ± 2 nm*
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm

Model	TGZ3
Application	・Z軸校正用
Structure	step - SiO2, bottom - Si
Pattern type	2-Dimensional
Period	3 ± 0.05 µm
Height	520 ± 3 nm*
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm

Model	TGZ4
Application	・Z軸校正用
Structure	step - SiO2, bottom - Si
Pattern type	2-Dimensional
Period	3 ± 0.05 µm
Height	1517 ± 20 nm*
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm

Model	TGQ1
Application	・XYZ軸の同時校正用 ・スキャナーの水平校正 ・水平ノンリニアリティ、ヒステリシス、クリープ、 　クロスカップリングエフェクトの検出
Structure	step - SiO2, bottom - Si
Pattern type	3-Dimensional array of rectangulars
Period	3 ± 0.05 µm
Height	20 ± 1.5 nm*
Rectangles side size	1.5 ± 0.35 µm
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm

(* 300個のバッチから取り出した5個のステップ高の平均値を仕様に用いているため、ステップ高の仕様数値がバッチごとに変更されます。仕様数値の±10％を公差としています。)

Model	TGT1
Application	・AFM/SPMプローブのティップの形状と鋭さの評価 ・ティップの劣化・汚染防止
Structure	the grating is formed on Si wafer top surface
Pattern type	3-D array of sharp tips
Period	3 ± 0.05 µm
Height	0.3 - 0.5 µm
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 2 x 2 mm
Tip angle	50 ± 10 degrees (on the very tip end)
Tip curvature radius	≤ 10 nm
Diagonal period	2.12 µm

Model	TGG1
Application	・X軸またはY軸の校正 ・水平または垂直スキャナーのノンリニアリティ検出 ・角変形の検出 ・ティップ特性評価
Structure	Si
Pattern type	1- D array of triangular steps (in X or Y direction) having precise linear and angular sizes
Period	3 ± 0.05 µm
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm
Edge angle	70 degrees
Edge radius	≤ 10 nm

Model	TGX1
Application	・水平スキャナーの校正 ・水平ノンリニアリティ、ヒステリシス、クリープ、 クロスカップリングエフェクトの決定 ・ティップの鋭さの決定
Structure	Si
Pattern type	chessboard-like array of square pillars with sharp undercut edges
Period	3 ± 0.05 µm
Height	~ 0.6 µm
Chip size	5 x 5 x 0.5 mm
Effective area	central square 3 x 3 mm
Edge curvature radius	less then 10 nm

Model	TDG01
Application	・X軸またはY軸の校正 (278nm period)
Structure	the grating is formed on the chalcogenide glass coated by Al
Pattern type	parallel ridges in X or Y direction, 1-Dimensional
Period	278 ± 1 nm
Height	> 55 nm
Chip size	diameter 12.5 mm, thickness - 2,5 mm
Effective area	central diameter 9 mm

■ グレーティングセット